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深紫外led外延片制作工艺是怎样的?[日益兴]

2022年06月14日
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目前,深紫外LED外延片生长技术主要采用金属有机化学气相沉积法。该方法基于LED外延片生长的基本原理。深紫外LED外延片生长的基本原理是在衬底(主要是蓝宝石、sic、SI)加热到合适的温度时,控制in、GA、al、P等气体物质向衬底表面的传输,生长出特定的单晶薄膜

深紫外led外延片

深紫外LED外延片的制备过程非常复杂。外延片开发完成后,从每个外延片中随机选择9个点进行测试。符合要求的为良品,其余为劣品(电压偏差大、波长长等)。优质LED产品的外延片应制成电极(P极和N极)。

然后激光切割,然后100%分拣。根据不同的电压、波长和亮度进行全自动分拣,形成LED晶圆(方形晶圆)。然后,进行目视检查,找出有轻微缺陷或电极磨损的零件。这些是后向散射晶体。

深紫外led外延片

此时,蓝色薄膜上的晶片不符合正常装运要求,自然会变成边缘晶片或粗糙晶片。有缺陷的外延晶片(主要是因为一些参数不符合要求)不需要是方形晶片,电极(P极和N极)不需要单独检查,也就是现在市场上的LED晶片(其中也有好东西,如方形等)。

半导体制造商主要使用抛光硅片和外延硅片作为集成电路的原材料。外延晶片在20世纪80年代初被使用。它们具有一些标准PWs中未发现的电气特性,消除了晶体生长和后续晶圆加工过程中引入的许多表面/近表面缺陷。


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